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強光探照燈具有高效節能、壽命長、綠色環保、體積小、固體器件、點亮反應快、白光色溫可調、光色質量好、低壓直流驅動、易于集成和智能控制等優點，我司認為它是21世紀最有前景的新光源，將取代白織燈和熒光燈成為照明市場的主導，使照明技術面臨一場新的革命。
要實現LED照明，除了要求有較高的發光強度外還要求有全色波長，實現白光LED照明。但是在實現了紅光、黃光發光的LED后很長一段時間科學家未能實現藍光LED發光。
早在1970年代，美國科學家J.Pankove等人就已經發現GaN是一種良好的寬禁帶半導體發光材料，并且成功制作了能發出藍光的GaN肖特基管。但是，隨后的十幾年里，科學家們的努力研究一直沒能突破制備p型GaN材料的難關。
直到20世紀80年代末期，日本科學家Akasaki和Amano發現，可以先在異質襯底上沉積AIN結晶層，然后能夠實現MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)外延生長表面平整的GaN單晶薄膜。在此基礎上，他們又發現可以通過電子束激活Mg滲雜的GaN材料中的空穴載流子實現p型GaN材料的制備，這是GaN基pn結發光二極管最為關鍵的基礎技術突破。隨后，GaN基LED技術從研究院所的實驗室走進了工廠。日本Nichia公司的科學家實現了采用GaN結晶層實現高質量的外延層 MOCVD 生長，很快又發現可以通過熱退火的方式激活 Mg 摻雜的GaN 實現p型導電。作為這一系列突破的成果，1993年Nichia公司中村修二推出了第一只高亮度GaN 藍光LED,解決了自1962年LED問世以來高效藍光缺失的問題，1996年又首次在藍光LED上涂覆黃色熒光粉而實現白光發射開啟了LED白光照明的新時代。


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